[发明专利]电化学传感器无效
| 申请号： | 200680019193.9 | 申请日： | 2006-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101189507A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | M·贝尔纳斯科尼;C·德穆特;H·范哈伦;J·范德图因 | 申请（专利权）人： | 梅特勒－托利多公开股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 瑞士格*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 一种电化学传感器，具有包含FET基结构的ISFET，包括源极区(25)、漏极区(26)以及设置在所述源极区(25)与所述漏极区(26)之间的导电槽(13)，并且还包括在所述FET基结构上直接形成并完全覆盖所述FET基结构的第一层(21)、在所述第一层(21)的顶部上形成的离子敏感层(117，217)、以及ESD保护层(118，218)，其中所述ESD保护层将所述ISFET与测量介质隔离，但是留出栅极区(119，219，319)未覆盖，其特征在于，所述FET基结构与所述第一层(21)之间的第一边界表面、所述第一层(21)与所述离子敏感层(117，217)之间的第二边界表面以及所述离子敏感层(117，217)的顶侧表面在平坦表面区域内是大致平坦的，其中所述平坦表面区域(34)延伸超过内侧表面区域(28)，由所述源极区(25)、漏极区(26)和所述导电槽(13)在所述平坦表面区域上的投影限定所述内侧表面区域。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学传感器 | ||
【主权项】：
1.一种电化学传感器，具有包含FET基结构的ISFET，包括源极区(25)、漏极区(26)以及设置在所述源极区(25)与所述漏极区(26)之间的导电槽(13)，并且还包括在所述FET基结构上直接形成并完全覆盖所述FET基结构的第一层(21)、在所述第一层(21)的顶部上形成的离子敏感层(117，217)、以及ESD保护层(118，218)，其中所述ESD保护层将所述ISFET与测量介质隔离，但是留出栅极区(119，219，319)未覆盖，其特征在于，所述FET基结构与所述第一层(21)之间的第一边界表面、所述第一层(21)与所述离子敏感层(117，217)之间的第二边界表面以及所述离子敏感层(117，217)的顶侧表面在平坦表面区域内是大致平坦的，其中所述平坦表面区域(34)延伸超过内侧表面区域(28)，由所述源极区(25)、漏极区(26)和所述导电槽(13)在所述平坦表面区域上的投影限定所述内侧表面区域。
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