[发明专利]溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 200680019265.X | 申请日： | 2006-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101189358A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 中村笃志;矢作政隆;佐藤贤次 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;G11B7/257;C04B35/453;G11B7/26;G11B7/254 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种溅射靶，其中，含有Al2O3：0.2至3.0原子％、MgO和/或SiO2∶1至27原子％、余量为ZnO，其具有低折射率以及低体积电阻。一种溅射靶的制造方法，所述溅射靶具有低折射率以及低体积电阻，其中，将原料Al2O3粉与ZnO粉预先混合并预先煅烧，然后在所述煅烧后的Al2O3－ZnO混合粉中混合MgO和/或SiO2粉并进行烧结。本发明提供不含硫、体积电阻低、可以实现DC溅射、低折射率的光学薄膜形成用靶及其制造方法。由于透过率高、以非硫化物体系构成，因此对于邻接的反射层、记录层难以产生劣化的光信息记录介质用薄膜的形成是有用的。可以实现光信息记录介质特性的改善、设备成本的下降、并且通过成膜速度的提高而显著改善生产量。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其中，含有Al2O3：0.2至3.0原子％、MgO和/或SiO2 ：1至27原子％、余量为ZnO，并且具有低折射率以及低体积电阻。
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