[发明专利]金属氮化物的选择性湿蚀刻无效
| 申请号： | 200680019359.7 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101248516A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 威廉·A·沃伊特恰克;迪安·德维尔夫 | 申请（专利权）人： | 塞克姆公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王昭林;崔华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一实施方案中，本发明涉及一种湿蚀刻组合物，其包括过氧化氢、有机鎓氢氧化物和酸。在另一实施方案中，本发明涉及一种相对周围结构选择性地湿蚀刻金属氮化物的方法，该周围结构包含一种或多种硅、氧化硅、玻璃、PSG、BPSG、BSG、氮氧化硅、氮化硅和碳氧化硅或其组合或混合和/或光致抗蚀剂材料，该方法包括步骤：提供一种含有过氧化氢、有机鎓氢氧化物和酸的湿蚀刻组合物；暴露金属氮化物以在一定温度下用湿蚀刻组合物蚀刻一段时间，所述时间和温度使得相对周围结构有效地选择性蚀刻金属氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氮化物 选择性 蚀刻 | ||
【主权项】：
1、一种湿蚀刻组合物包含：过氧化氢、有机鎓氢氧化物和酸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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