[发明专利]包括电子组件和导电构件的工件无效
申请号: | 200680019672.0 | 申请日: | 2006-05-31 |
公开(公告)号: | CN101189726A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | J·王;G·俞 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种工件,可包括导电构件,该导电构件包括在不高于240℃的温度下熔化的材料。在一个实施例中,导电构件(764)附连到各自包括电极(62)和发射辐射、响应于辐射或其组合的有机层(54)的电子组件,更具体地,导电构件(764)附连到电子组件的电极(62)。在另一个实施例中,导电构件(764)附连到作为控制电路(722)的一部分或电连接到控制电路(722)的导体(762),控制电路(722)被设计成控制各自包括有机层(54)的电子组件,有机层(54)发射辐射、响应于辐射或其组合。 | ||
搜索关键词: | 包括 电子 组件 导电 构件 工件 | ||
【主权项】:
1.一种工件,包括:电子组件,每个都包括第一电极以及发射辐射、对辐射作出响应或进行上述操作的组合的有机层;以及导电构件,附连到所述第一电极,其中所述导电构件包括在不高于240℃的温度下熔化的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的