[发明专利]用于沉积工艺的高效阱有效
| 申请号： | 200680019702.8 | 申请日： | 2006-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101208779A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | R·霍格尔 | 申请（专利权）人： | 爱德华兹真空股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了通过减少或基本上消除半导体加工系统的设备部件中副产物的累积来改善半导体加工系统如沉积系统的效率的系统、设备和方法。本发明还涉及改善与半导体加工系统有关的前级管道阱的效率，其中，该阱除去了来自处理室的废气中的基本上所有的副产物，另外，本发明提供了有效地清空半导体加工系统的废气中累积的副产物的阱的系统、设备和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 工艺 高效 | ||
【主权项】：
1.一种半导体加工系统，它包括至少一个用于从真空加工单元的废气流中除去基本上所有的副产物的阱串组。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱德华兹真空股份有限公司，未经爱德华兹真空股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680019702.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
