[发明专利]电容麦克风驻极体化方法、驻极体化设备及用其的电容麦克风制造方法无效
| 申请号： | 200680020052.9 | 申请日： | 2006-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101189908A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 竹内佑介;小仓洋;卷幡胜浩 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01;H01G7/02;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 肖鹂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种新颖的用于硅麦克风的驻极体化技术，能够容易地驻极体化通过微加工硅基板形成的电容麦克风的介电膜，并吸收由制造及部件特性变化引起的麦克风灵敏度的变化。硅麦克风芯片完成并随后安装在安装基板上，且在硅麦克风芯片被安装的状态下，该硅麦克风芯片的每个介电膜通过一个针状电极(51)的电晕放电而被单独驻极体化。基于麦克风灵敏度的实际测量结果，恰当地确定多次驻极体操作即第二次及之后的驻极体化数量，由此精确高效地驻极体化介电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 麦克风 驻极体化 方法 设备 制造 | ||
【主权项】：
1.一种对通过微加工半导体基板而形成的电容麦克风的元件的介电膜进行驻极体化的驻极体化方法，其中所述电容麦克风的一个电极通过一端子连接到预定电势，且对所述电容麦克风单独执行利用所述电极和一针状电极的至少一次电晕放电，由此驻极体化所述介电膜。
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