[发明专利]Ⅲ－Ⅴ半导体核－异质壳纳米晶体有效
| 申请号： | 200680020268.5 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101194372A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 乌里·巴宁;阿萨夫·阿哈龙尼 | 申请（专利权）人： | 耶路撒冷希伯来大学伊萨姆研发公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C30B29/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 本发明涉及III－V半导体核－异质壳纳米晶体。本发明提供了一种包含核和多层壳的核/多壳半导体纳米晶体，其显示出I型带阶和较高的光致发光量子产率，提供了涵盖从约400nm的可见范围至超过1600nm的近红外范围的明亮可调的发射。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 异质壳 纳米 晶体 | ||
【主权项】：
1.一种核/多壳半导体纳米晶体，所述核/多壳半导体纳米晶体包含由III/V化合物制成的核材和至少两种壳材，其中，第一壳材包覆所述核材，第二壳材包覆所述第一壳材，并且每种在后壳材依次包覆在前的壳，每种壳材均独立地选自II/VI、III/V或III/VI化合物，其中，所述核材不同于所述第一壳材，且任何壳材均不同于相邻壳的壳材，而且其中所述纳米晶体显示出I型带阶和波长为约400nm～约1600nm的发光。
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