[发明专利]用于制备电子装置的方法无效
| 申请号： | 200680020284.4 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101238563A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 阿伦·维鲁帕克沙·高达;桑迪普·什里坎特·托尼亚皮;瑞安·克里斯托弗·米尔斯;大卫·理查德·埃斯勒;斯蒂芬·安德鲁·莱瑟姆;约翰·罗伯特·坎贝尔 | 申请（专利权）人： | 莫门蒂夫功能性材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/373;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于形成一种电子装置的方法，所述电子装置包括同时用作底部填充材料和热界面材料的材料。本文还给出了包括散热元件、半导体芯片、衬底和导热材料的电子组件，其中所述导热材料同时用作底部填充材料和热界面材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 电子 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成电子装置的方法，所述方法包括如下步骤：(A)提供衬底，所述衬底通过至少一个电互连与半导体芯片连接，所述衬底、所述半导体芯片和所述至少一个电互连限定了层间区；(B)用可固化可流动的导热材料涂覆散热元件的预定部分，以提供被涂覆的散热元件；(C)将所述被涂覆的散热元件与半导体芯片连结，以提供包括散热元件、通过至少一个电互连与半导体芯片连接的衬底的电结构；所述电结构包括由所述衬底、所述电互连和所述半导体芯片限定的层间区；并且使所述可固化可流动的导热材料填充至少部分所述层间区，随后使所述可固化可流动的导热材料固化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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