[发明专利]低基面位错块体生长的SiC晶片有效
| 申请号： | 200680020294.8 | 申请日： | 2006-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101194052A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | A·泊韦尔;M·布莱迪;V·F·斯维特科夫 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L21/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种高质量SiC单晶晶片。该晶片具有至少约3英寸(75mm)的直径和至少一连续平方英寸(6.25cm2)的表面积，就4度离轴晶片而言该表面积具有小于约500cm－2的基面位错体积密度。 | ||
| 搜索关键词： | 低基面位错 块体 生长 sic 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种高质量SiC单晶晶片，该晶片具有至少约3英寸的直径和至少一连续平方英寸的表面积，该表面积具有小于约500cm-2的基面位错密度。
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