[发明专利]碳纳米管互连接触无效
| 申请号： | 200680020459.1 | 申请日： | 2006-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101208793A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | F·格斯特赖因;A·拉瓦;V·杜宾 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘锴;韦欣华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在半导体基材上形成互连的方法，包括：提供至少一种在沟槽之内的碳纳米管(304)，蚀刻所述碳纳米管的至少一部分以产生开口(602)，通过所述开口在所述碳纳米管上共形地沉积金属层，并且在所述基本上与所述碳纳米管连接的开口上形成金属化的接触(308)。可以使用原子层沉积工艺或无电镀覆工艺将金属层共形地沉积到所述碳纳米管上。可以沉积多个金属层以基本填充所述碳纳米管中的空隙。所述无电镀覆工艺可以使用超临界液体作为用于镀覆溶液的介质。在所述无电镀覆工艺之前可以对所述碳纳米管的润湿特性进行改性，以提高所述碳纳米管的亲水性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 互连 接触 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：提供至少一个在沟槽之内的碳纳米管；蚀刻所述碳纳米管的至少一部分以产生开口；通过所述开口在所述碳纳米管上共形地沉积金属层；并且在所述基本上与所述碳纳米管连接的开口上形成金属化的接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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