[发明专利]存储器控制器、非易失性存储装置、非易失性存储系统及数据写入方法无效

专利信息
申请号: 200680020511.3 申请日: 2006-05-24
公开(公告)号: CN101194238A 公开(公告)日: 2008-06-04
发明(设计)人: 井上学;中西雅浩;泉智绍;森博范;真木晋弘;本多利行 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G06F12/16 分类号: G06F12/16;G06F12/02;G06F12/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 曲瑞
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的存储单元使用的是保存多页数据的多值NAND快闪存储器等非易失性存储器。当向非易失性存储器110写入数据时,构成成对的且以多页为单位的物理单元。当无法写入所有物理单元时,从保存着已写入的有效数据的旧物理块中复制数据,写入新物理块内,直至物理单元的写入完成为止。由此,当下一次要写入数据时,可从新的物理单元的起始开始写入,所以可防止出错。
搜索关键词: 存储器 控制器 非易失性 存储 装置 存储系统 数据 写入 方法
【主权项】:
1.一种存储器控制器,用于根据由外部提供的写入及读取命令和地址,对存储器进行数据写入、数据读取,所述存储器是由多页构成,所述页是所述存储器中的写入单位,物理单元是由至少一个包括第一页和第二页的页群组而构成,当对其中一页写入数据时,对另一页的数据写入状态暂时改变,所述存储器控制器具有物理单元写入部,所述物理单元写入部根据来自所述外部的写入命令对未写入的所述物理单元执行写入。
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