[发明专利]分析半导体等离子体生成系统中的功率通量的系统和方法

摘要

一种用于测量和分析半导体等离子体生成器的基于RF的激励系统中的功率通量参数的系统和方法。测量探针(8)连接到RF传输线，用于从传输线(4)接收和测量电压(10)和电流信号(12)。高速采样处理将测量的RF电压和电流信号转换成数字信号。然后处理数字信号，以便揭示对应于原始RF信号的基波和谐波幅度和相位信息。可以在功率传输路径中插入多个测量探针，以测量两端口参数，并且可以询问联网的探针来确定输入阻抗、输出阻抗、插入损耗、内耗、功率通量效率、散射以及RF信号的等离子体非线性效应。

主权项

1.一种分析RF功率传输线中的功率通量的系统，包括：测量探针，具有用于从所述传输线感测RF电压和电流信号的电压传感器和电流传感器；连接到所述电压和电流传感器的测量接收器，用于接收所述RF信号；采样装置，将所述RF信号转换成数字信号，所述数字信号包括表示所述RF信号的基波频率和所述基波频率的预定数量的谐波的幅度和相位信息；和数字信号处理装置，辨别所述幅度和相位信息，以便分析功率通量参数以及揭示所述基波和谐波频率之间的幅度和相位角关系。