[发明专利]双极半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680021188.1 | 申请日： | 2006-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101199058A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 野中贤一 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/732;H01L29/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟;迟军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种双极半导体器件及其制造方法。一种半导体晶体包括布置在基极接触区(16)与发射极区(14)之间的表面的附近的具有第二导电类型的复合抑制半导体层(17)，并且该复合抑制半导体层(17)将具有大量表面状态的半导体表面与主要传导空穴电流的部分和电子电流的部分分离。抑制了复合，从而增大了电流放大因子并降低了导通电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极半导体器件，该双极半导体器件包括：集电极区，该集电极区包括形成在半导体晶体的一个表面上的具有第一导电类型的低阻层；布置在所述集电极区上的具有第一导电类型的高阻层；布置在具有第一导电类型的所述高阻层上的具有第二导电类型的基极区；形成在所述半导体晶体的另一表面上的具有第一导电类型的低阻发射极区；以及连接至所述基极区并且在所述发射极区的外周的具有第一导电类型的所述高阻层的两侧布置的具有第二导电类型的低阻基极接触区，并且所述双极半导体器件还具有：在所述基极接触区与所述发射极区之间的所述半导体晶体的表面附近的具有第二导电类型的复合抑制半导体层。
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