[发明专利]辐射检测器无效
| 申请号： | 200680021313.9 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101199055A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | J－M·维尼奥勒 | 申请（专利权）人： | 特里赛尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及辐射检测器，包括光敏传感器(3)，其与通常称为闪烁体的辐射转换器相关。该类型检测器的应用领域主要是在放射学。闪烁体(2)和光敏传感器(3)是贴近式光学耦合的，光敏传感器(3)包括布置成矩阵并且以间隙(12)彼此隔开的光敏元件(6)。检测器(1)还包括滤光器(20)，其对于闪烁体(2)所发射的辐射(5)是不透明的，该滤光器(20)覆盖光敏元件(6)之间的间隙(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 检测器 | ||
【主权项】：
1.一种辐射检测器(1)，包括贴近式光学耦合的闪烁体(2)和光敏传感器(3)，所述光敏传感器(3)包括布置成矩阵并且以间隙(12)彼此隔开的光敏元件(6)，其特征在于其还包括滤光器(20)，其对于所述闪烁体(2)所发射的辐射(5)是不透明的，所述滤光器(20)覆盖所述光敏元件(6)之间的所述间隙(12)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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