[发明专利]短沟道半导体器件加工无效
| 申请号： | 200680021396.1 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101199045A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | J－P·科林;W·熊 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/00;H01L27/01;H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了积累型多栅晶体管器件(1100)的形成。形成这些器件以便减弱短沟道效应，特别地，一种或多种类型的掺杂剂材料被注入沟道区、延伸区和/或源(1104)/漏(1106)区内以减轻可能导致不希望的漏电流的沟道区中导电通路的建立和电子积累。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 半导体器件 加工 | ||
【主权项】：
1.一种形成多栅晶体管器件的方法，包括：执行第一注入工艺以便在半导体衬底内获得第一掺杂浓度；执行第二注入工艺以便在所述晶体管的沟道区建于其中的所述半导体衬底的区域内获得第二掺杂浓度；在所述晶体管的所述沟道区建于其中的所述半导体衬底的所述区域上形成多栅电介质；在所述电介质上形成多栅电极；以及执行第三注入工艺以建立邻近所述沟道区的第一侧面的第一延伸区和邻近所述沟道区的第二侧面的第二延伸区，所述第一和第二延伸区具有第三掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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