[发明专利]无掩模多层多晶硅电阻器

摘要

本发明实现了由不同表面电阻值的多晶硅电阻器组成的半导体器件加工过程，而不需要添加额外的半导体加工处理步骤。在半导体器件的表面形成氧化层(104)。在此氧化层之上形成多晶硅层(106)。通过图案化在多晶硅层上形成多晶硅电阻器(108)。在多晶硅电阻器上形成多晶硅电阻器掩模，此掩模按选定百分比暴露出部分多晶硅电阻器(110)。注入选择的掺杂剂(112)，以改变多晶硅电阻器的电阻率。去除掩模(114)并进行热激活处理(116)，使所注入掺杂剂在整个多晶硅电阻器中扩散以实现充分均匀的浓度分布。

主权项

1.形成包含多晶硅电阻器元件的半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成多晶硅层；定义至少一部分所述多晶硅层为多晶硅电阻器；在所述多晶硅层上形成含有暴露图案的电阻器掩模，其中所述暴露图案暴露出一部分所述多晶硅电阻器；通过所述暴露图案向所述多晶硅层注入选择的掺杂剂；以及进行热激活处理，该热激活处理扩散所述多晶硅层中的注入掺杂剂。