[发明专利]有机半导体材料薄膜的形成方法和有机薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种在基板上形成迁移率提高的有机半导体材料膜的方法，以及由此呈现高性能的有机薄膜晶体管的制造方法。该有机薄膜晶体管的制造方法是在基板表面上涂布含有有机半导体材料的液体，形成半导体材料薄膜的有机半导体材料膜的形成方法，上述基板表面的表面自由能由γ_S＝γ_S^d+γ_S^p+γ_S^h以及上述液体中溶剂的表面自由能由γ_L＝γ_L^d+γ_L^p+γ_L^h(这里，γ_S^d、γ_S^p、γ_S^h和γ_L^d、γ_L^p、γ_L^h分别表示基于Young－Fowkes式的固体表面和液体表面的自由能的非极性、极性分量、或氢键分量。)表示时，γ_S^h－γ_L^h的值在－5mN/m～20mN/m的范围，且上述基板表面的表面自由能的氢键分量γ_S^h满足0＜γ_S^h＜20(mN/m)。

主权项

1.一种有机半导体材料薄膜的形成方法，该方法包括：在基板表面上涂布含有有机半导体材料的液体来形成半导体材料薄膜，其中，上述基板表面的表面自由能用γS＝γS d+γS p+γS h表示时(式中，γS d、γS p、γS h 分别表示基于Young-Fowkes式的固体表面的表面自由能的非极性分量、极性分量、氢键分量)，并且上述液体中的溶剂的表面自由能用γL＝γL d+γL p+γL h 表示时(式中，γL d、γL p、γL h分别表示基于Young-Fowkes式的液体的表面自由能的非极性分量、极性分量、以及氢键分量)，γS h-γL h的值为-5mN/m～20mN/m的范围，且上述基板表面的表面自由能的氢键分量γS h满足0＜γS h＜20(mN/m)。