[发明专利]具有高击穿电压的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680022229.9 | 申请日： | 2006-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101203960A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 简·雄斯基;安科·黑林格 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括至少一个有源部件(18)，具有在半导体衬底(4)的有源区(19)中的半导体衬底上的p－n结(26)。将浅沟隔离图案用于形成包含绝缘体(14)的多个纵向延伸的浅沟(12)。这些沟槽限定了浅沟(12)之间的多个纵向有源条(10)。浅沟隔离深度(dSTI)比纵向有源条的结深度(dSi)大，而有源条(10)的宽度(wSi)比p－n结的耗尽长度(ldepi)小。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 击穿 电压 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤，但是不必按照该顺序：(a)形成用绝缘体(14)填充的多个纵向延伸的沟槽(12、52)，所述沟槽(12、52)具有沟槽隔离深度(dSTI)以限定纵向延伸的沟槽(12)之间的多个纵向有源条(10、48)；以及(b)形成在纵向有源条(10、48)中包括至少一个p-n结(26)的至少一个有源部件(18)，所述p-n结具有结深度(dSi)和击穿时的耗尽长度ldepl；其中沟槽隔离深度(dSTI)比结深度(dSi)大，并且有源条(10、48)的宽度(wSi)比击穿时的耗尽长度(ldepl)小。
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