[发明专利]层间绝缘膜、布线结构以及它们的制造方法无效
| 申请号： | 200680022317.9 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101238555A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种低介电常数且不会产生CFx、SiF4等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中，所述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。布线结构具备层间绝缘膜和形成在层间绝缘膜上的接触孔以及被填充在所述接触孔内的金属。所述绝缘膜具备形成在所述基底层上的第1碳氟膜和形成在所述第1碳氟膜上的第2碳氟膜。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 布线 结构 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种层间绝缘膜，是具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜，其特征在于，有效介电常数为3以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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