[发明专利]包括超晶格电介质接口层的半导体器件无效
| 申请号： | 200680022579.5 | 申请日： | 2006-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN101258602A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J·梅尔斯;迈尔柯·伊萨;斯考特·A·克瑞普斯;罗伯特·约翰·史蒂芬森;简·奥斯丁·查·索·福克·伊普皮汤;伊利佳·杜库夫斯基;卡里帕纳姆·维维克·绕;塞姆德·哈里洛夫;黄向阳 | 申请（专利权）人： | 梅尔斯科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/423;H01L29/772 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，可以包括半导体衬底和与半导体衬底相邻的至少一个有源器件。该至少一个有源器件可以包括电极层、位于电极层下面并且与其接触的高K电介质层，以及位于高K电介质层下面与电极层相对并且与高K电介质层接触的超晶格。超晶格可以包括多个层叠的层组。超晶格的每个层组可以包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 晶格 电介质 接口 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及至少一个有源器件，与所述半导体衬底相邻，并且包括：电极层，位于所述电极层下面并且与其接触的高K电介质层，以及位于所述高K电介质层下面与所述电极层相对并且与所述高K电介质层接触的超晶格，所述超晶格包括多个层叠的层组，所述超晶格的每个层组包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。
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