[发明专利]制造用于大容量存储设备读写头的读传感器的方法和工艺无效
| 申请号： | 200680022612.4 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101223584A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | H·S·赫格德;M·明;B·德吕;A·J·德瓦萨哈亚姆 | 申请（专利权）人： | 威科仪器有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 制造用于大容量存储设备的读头的设备结构的方法和工艺。由相对硬的材料例如类金刚石碳形成的抛光停止层(40)位于层堆叠(32)和抗蚀剂掩模(42)之间，该抗蚀剂掩模(42)用于在离子研磨期间对层堆叠(32)的区域进行掩模，该离子研磨移除部分的层堆叠(32)以限定读传感器(34)。在限定了读传感器之(34)后，通过平坦化工艺移除抗蚀剂掩模(42)，该平坦化工艺消除了用常规基于化学的工艺剥离抗蚀剂掩模(42)的需要。由例如Al2O3的材料组成的电绝缘层(46)形成在经掩模的读传感器(34)上。另外或或者，可以使用原子层沉积(ALD)工艺形成电绝缘层(46)，该原子层沉积工艺在升高的温度下运行，该升高的温度否则将预烤抗蚀剂掩模(42)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 容量 存储 设备 读写 传感器 方法 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种制造设备结构的方法，包括：形成层堆叠，其包括能够用作读传感器的多个层；在所述层堆叠上形成抛光停止层；从所述层堆叠中限定读传感器，其中，所述读传感器由所述抛光停止层的部分覆盖；在所述抛光停止层部分和所述读传感器上形成包括电绝缘体的绝缘层；在所述绝缘层上形成包括磁性材料的硬偏置层；对所述绝缘层和所述硬偏置层进行平坦化；以及在所述抛光停止层部分上停止所述平坦化。
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