[发明专利]电介质材料的等离子处理无效
申请号: | 200680022656.7 | 申请日: | 2006-06-13 |
公开(公告)号: | CN101248212A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | S·穆图可芮西纳;R·谢芮哥潘尼;T·戈亚尔;P·K·那瓦卡;S·S·凯尔;K·Z·阿哈穆德;Y·马 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/56 | 分类号: | C23C16/56;C23C16/40;H01L21/314 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的一实施例是提供一种形成电介质材料的方法,其包括:于原子层沉积(ALD)制程中,使基板循序暴露于含金属前驱物以及氧化气体下,而形成氧化金属;接着,使基板暴露于惰性等离子制程以及热退火制程。一般来说,氧化金属包括铪、钽、钛、铝、锆、镧其中之一或其混合物。于一实验例中,基板暴露于不含氮或是实质不含氮的惰性等离子气体中,接着,基板于热退火制程中暴露于氧气环境下。于另一实验例中,基板于ALD制程中循序暴露于金属前驱物以及含水蒸气的氧化气体下,因而形成氧化金属材料,而水蒸气是由消耗氢气气源与氧气气源的催化性水蒸气产生器所形成。 | ||
搜索关键词: | 电介质 材料 等离子 处理 | ||
【主权项】:
1.一种于基板上形成电介质材料的方法,包括:将该基板置于制程腔中;将氢气气源以及氧气气源流入水蒸气产生器中,以形成包含水蒸气的氧化气体;于原子层沉积制程中,使该基板循序暴露于该氧化气体以及至少一含金属前驱物之中,而于该基板上形成电介质材料;使该基板暴露于惰性气体等离子,而于惰性等离子制程中加密该电介质材料;以及使该基板暴露于热退火制程之下。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的