[发明专利]半导体不良解析装置、不良解析方法、及不良解析程序无效
| 申请号： | 200680022711.2 | 申请日： | 2006-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101208608A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 真岛敏幸;嶋瀬朗;寺田浩敏;堀田和宏;武田雅裕 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/302 | 分类号： | G01R31/302;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 由取得半导体设备的不良观察图像(P2)的检测信息取得部(11)；取得布局信息的布局信息取得部(12)；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部(13)；和将解析结果信息显示在显示装置(40)上的解析画面显示控制部(14)，构成不良解析装置(10)。不良解析部(13)，参照不良观察图像(P2)来设定解析区域，同时，对半导体设备的布局中所含的多个网路，抽出通过解析区域的网路。由此，半导体不良解析装置、解析方法、及解析程序可实现准确且高效地进行半导体设备的不良解析。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 不良 解析 装置 方法 程序 | ||
【主权项】：
1.一种半导体不良解析装置，使用半导体设备的观察图像对其不良进行解析，其特征在于，具备：检测信息取得模块，作为半导体设备的观察图像取得进行对不良的检测而得到的、包含因不良所致的反应信息的不良观察图像；布局信息取得模块，取得所述半导体设备的布局信息；不良解析模块，参照所述不良观察图像及所述布局信息，进行对所述半导体设备的不良的解析；和信息显示控制模块，将关于所述半导体设备的不良解析的信息，显示在显示模块上；所述不良解析模块具有：区域设定模块，用来参照所述不良观察图像，对应于所述反应信息来设定解析区域；和网路信息解析模块，对于所述半导体设备的布局中所含的多个网路，抽出通过所述解析区域的网路；所述信息显示控制模块，将由所述区域设定模块及所述网路信息解析模块得到的所述半导体设备的不良解析结果的信息显示在显示模块上。
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