[发明专利]激光退火的方法及装置有效
| 申请号： | 200680022992.1 | 申请日： | 2006-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101208778A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 川上隆介;西田健一郎;河口纪仁;正木深雪;芳之内淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社IHI |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种通过在基板表面形成的半导体膜上照射激光束而进行的激光退火方法，包括生成与行进方向垂直的截面为矩形且电场朝矩形长边方向的线偏振的矩形激光束或者长轴朝长边方向的椭圆偏振的矩形激光束的步骤；使上述矩形激光束入射到基板表面上的步骤；以及将上述矩形激光束的波长设定为与驻波方向所要的晶粒尺寸相当的长度的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种通过在基板表面形成的半导体膜上照射激光束而进行激光退火的方法，其特征在于包括如下步骤：生成与行进方向垂直的截面为矩形且电场朝向矩形的长边方向的线偏振的矩形激光束，或者长轴朝向长边方向的椭圆偏振的矩形激光束；使所述矩形激光束入射到基板的表面；以及将所述矩形激光束的波长设定为与驻波方向的所要晶粒尺寸相当的长度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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