[发明专利]高纯度硅的制造方法无效
| 申请号： | 200680023138.7 | 申请日： | 2006-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101208267A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 三枝邦夫;山林稔治 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种高纯度硅的制造方法。高纯度的硅的制造方法是将下式(1)所示的卤化硅用铝还原制造硅的方法，作为还原剂使用的铝的纯度为99.9重量％以上。SiHnX4－n(1)(式中，n是0～3的整数，X是选自F、Cl、Br、I的1种或2种以上的卤原子。这里，铝的纯度是由100重量％减去铝中含有的铁、铜、镓、钛、镍、钠、镁和锌的总重量％得到的)。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯度硅的制造方法，该方法是将下式(1)所示的卤化硅用铝还原制造硅的方法，作为还原剂使用的铝的纯度为99.9重量％以上，SiHnX4-n：(1)式中，n是0～3的整数，X是选自F、Cl、Br、I的1种或2种以上的卤原子，其中，铝的纯度是由100重量％减去铝中含有的铁、铜、镓、钛、镍、钠、镁和锌的总重量％得到的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社，未经住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680023138.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：控制混合电动车的电池充电水平的方法
- 下一篇：电子致失能设备
