[发明专利]在电镀浴中使用金属纳米晶体颗粒形成的复合金属层无效
| 申请号： | 200680023141.9 | 申请日： | 2006-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101233264A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | W·沃尔瓦格;S·穆图库马 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | C25D15/02 | 分类号： | C25D15/02;C25D7/12;H01L21/768;H05K3/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘锴;韦欣华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在衬底上形成复合金属层的方法，包括提供第一金属的纳米晶体颗粒，将纳米晶体颗粒添加到包括第二金属的离子的镀覆浴上以形成类胶体的悬浮液，在镀覆浴中浸入衬底，以及在衬底上制生成第二金属和第一金属的纳米晶体颗粒的共沉积以形成一复合金属层。共沉积可以通过在衬底上引入负偏压和施加电流到镀覆浴以诱发电镀过程而制造。在电镀过程中，第二金属的离子通过衬底而还原且在衬底上与第一金属的纳米晶体颗粒共沉积以形成复合金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 使用 金属 纳米 晶体 颗粒 形成 复合 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：提供第一金属的纳米晶体颗粒；将纳米晶体颗粒添加到镀覆浴以形成类胶体的悬浮液，其中所述镀覆浴包括第二金属的离子；在所述镀覆浴中浸入衬底；以及在衬底上进行第一金属的纳米晶体颗粒和所述第二金属的共沉积以形成复合金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680023141.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
