[发明专利]驱动功率场效应晶体管的系统及方法有效
| 申请号： | 200680023147.6 | 申请日： | 2006-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101501601A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | J·A·科胡特;D·J·鲍德温 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/40 | 分类号： | G05F1/40;G05F1/56;H03K17/56;H03K17/687;H02H7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于驱动功率场效应晶体管(FET)的系统和方法。在一个实施例中，系统包括控制电路(54)，其产生控制信号(56)以提供功率FET的栅极电压。该系统进一步包括耦连在控制电路和功率FET之间的斜率控制电路(62)，其可操作用于动态地控制功率FET的栅极电压的变化率，以降低由开关功率FET产生的电磁干扰(EMI)辐射和功率损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 功率 场效应 晶体管 系统 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于驱动功率场效应晶体管FET的系统，其包括：控制电路，其产生控制信号以提供所述功率FET的栅极电压；和斜率控制电路，其耦连在所述控制电路和所述功率FET之间，该斜率控制电路可操作用于动态控制所述功率FET的栅极电压的变化率，以降低由开关所述功率FET产生的电磁干扰EMI辐射和功率损耗。
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