[发明专利]不对称配体源、降低对称性的含金属化合物以及包含其的系统和方法有效
申请号: | 200680023282.0 | 申请日: | 2006-06-27 |
公开(公告)号: | CN101208295A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 丹·米尔沃德;斯特凡·乌伦布罗克;蒂莫西·A·奎克 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | C07C251/12 | 分类号: | C07C251/12;C07F3/00;C07F7/00;C23C16/40;H01L21/316 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供包含至少一个β-双烯酮亚胺基配体的含金属化合物,和制备及使用其的方法。在一些实施例中,所述含金属化合物为包含不对称β-双烯酮亚胺基配体的均配型配合物。在其它实施例中,含金属化合物为包含至少一个β-双烯酮亚胺基配体的异配型配合物。所述化合物可用于使用气相沉积方法来沉积含金属层。本发明也提供包含所述化合物的气相沉积系统。本发明也提供β-双烯酮亚胺基配体源。 | ||
搜索关键词: | 不对称 配体源 降低 对称性 金属 化合物 以及 包含 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在衬底上形成含金属层的方法,所述方法包括:提供衬底;提供包括至少一种下式(式I)化合物的蒸气:
其中:M选自由2族金属、3族金属、镧系元素和其组合组成的群组;各L独立地为阴离子配体;各Y独立地为中性配体;n表示金属的价态;z为0到10;x为1到n;且各R1、R2、R3、R4和R5独立地为氢或有机基团;但是适用一个或多个以下条件:R1不同于R5,或R2不同于R4;及使包括所述至少一种式I化合物的蒸气与所述衬底接触以使用气相沉积方法在所述衬底的至少一个表面上形成含金属层。
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