[发明专利]原位掺杂N型发射极的掺杂分布改进无效
| 申请号： | 200680023313.2 | 申请日： | 2006-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101208785A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 维贝·德布尔 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/10;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰爱*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种形成发射极－基极结的原位掺杂N型发射极的掺杂分布改进的方法。该方法包括以下步骤：提供一个基极层(26)；并利用包含一组工艺气体的气流在基极层(26)上生长掺杂的单晶发射极层(28)，其中，气流包括在工艺气体中加入锗(Ge)源以作为最初几秒的气流。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 掺杂 发射极 分布 改进 | ||
【主权项】：
1.一种形成发射极-基极结的方法，包括步骤：提供基极层(26)；以及利用包含一组工艺气体的气流在基极层(26)上生长一个掺杂的单晶发射极层(28)，其中，气流包括加入到工艺气体中作为最初几秒的气流的锗(Ge)源。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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