[发明专利]氧化镓－氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜有效
| 申请号： | 200680023378.7 | 申请日： | 2006-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101208452A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 长田幸三 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/453;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于形成透明导电膜的高密度氧化镓－氧化锌系烧结体溅射靶，其特征在于，其含有20～2000质量ppm的氧化锆。在氧化镓(Ga2O3)－氧化锌(ZnO)系溅射靶(GZO系靶)中添加微量的规定元素，可改善其导电性和靶的体积密度，即改善成分组成，可提高烧结密度，抑制结核的形成，防止异常放电及颗粒的发生，在得到这样的靶的同时，本发明还提供一种使用该靶形成透明导电膜的方法及由此形成的透明导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 氧化锌 溅射 透明 导电 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成透明导电膜的高密度氧化镓-氧化锌系烧结体溅射靶，其特征在于，含有20～2000质量ppm的氧化锆。
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