[发明专利]利用金属氧化物纳米粒子制备电子器件的方法有效
| 申请号： | 200680023413.5 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101213671A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 蒂莫西·D·邓巴 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郭国清;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制备薄膜晶体管的方法，其包括：(a)将包括半导体金属氧化物纳米粒子的分散体溶液沉积在衬底上，(b)烧结所述纳米粒子以形成半导体层，和(c)任选使得到的半导体层经沉积后处理。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 金属 氧化物 纳米 粒子 制备 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
1.制备薄膜晶体管的方法，其包括：(a)将包括半导体金属氧化物纳米粒子的分散体溶液沉积在衬底上，(b)烧结所述纳米粒子以形成半导体层，和(c)任选使得到的半导体层经沉积后处理。
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