[发明专利]包含垂直退耦电容器的半导体器件有效
| 申请号： | 200680023597.5 | 申请日： | 2006-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101213666A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | M·莱勒;K·弗罗贝格;C·施万 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于退耦电容器的垂直或三维非平面式配置(non－planar configuration)，其显著地降低高电荷载体储存容量的电容器所需的晶粒面积。该退耦电容器的非平面式配置在非常关键的栅极图案化工艺期间亦提供增进的图案均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 垂直 电容器 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(200、300、400、500)，包含：形成算术单元的多个晶体管组件(250、350)；及具有非平面式配置的退耦电容器(240、340、440、540)，所述退耦电容器(240、340、440、540)连接至所述算术单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
