[发明专利]大功率半导体激光二极管

摘要

半导体激光二极管，特别是具有大光输出功率的单片式宽发射域(BASE)激光二极管，通常用在光电子学领域。这种激光二极管的光输出功率和稳定性受到很大关注，并且在正常使用过程中的任何恶化都是非常不利的。本发明关注这种激光二极管的改进设计，特别是对通过以规定方式控制激光二极管中的电流来显著最小化或避免在非常大光输出功率时的(前)端部恶化的改进。这通过沿着激光二极管的纵向延伸方向建立各个电流注入点来以新颖的方式控制进入激光二极管的载流子注入，即注入电流而实现。而且，每个单个或成组电流注入点的供给电流/电压可以分别调节，从而进一步提高载流子注入的可控性。

主权项

1.一种大功率半导体激光二极管，包括：半导体主体，具有两个端部的活性区域，封闭这两个端部的前面和后面，覆盖所述半导体主体的至少一部分的第一注入装置，用于向所述活性区域注入电子，优选在所述激光器的n-触头侧，与所述第一注入装置对向设置的第二注入装置，覆盖所述半导体主体的至少一部分，用于向所述活性区域注入空穴，优选在所述激光器的p-触头侧，其特征在于，所述注入装置的至少一个包括金属化层和连接到所述金属化层的电接头，所述电接头被成形或构造，以使所述注入装置在所述两个端部的至少一个处产生减小的电流注入。