[发明专利]半导体器件中的MIM电容和用于该MIM电容的方法有效
| 申请号： | 200680023703.X | 申请日： | 2006-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101213641A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·R·罗伯茨;加里·L·胡夫曼 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成于半导体器件(10)中的一个或者多个金属互连层之上的平坦MIM电容。电容具有底部板状电极(36)和顶部板状电极(40)。绝缘体(38)形成于板状电极之间。在形成第一板状电极之前，在金属互连层上方淀积第一绝缘层(28)。利用化学机械抛光(CMP)工艺对第一绝缘层(28)进行平坦化。然后在平坦化的第一绝缘层上淀积第二绝缘层(32)。第一板状电极(36)形成于第二绝缘层(32)上方。绝缘体(38)形成于第一板状电极之上，作为电容的电介质。在绝缘体(39)上方形成第二板状电极(40)。平坦化第一绝缘层并在其上淀积第二绝缘层，减少了缺陷并产生更可靠的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 mim 电容 用于 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成具有平坦金属-绝缘体-金属(MIM)电容的半导体器件的方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上方形成第一绝缘层；平坦化第一绝缘层；在第一绝缘层上方形成第二绝缘层；在第二绝缘层上方形成平坦MIM电容的第一板状电极；在第一板状电极上方形成第三绝缘层；在第三绝缘层上方形成平坦MIM电容的第二板状电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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