[发明专利]用于引燃低压等离子体的方法和装置有效

专利信息
申请号: 200680023828.2 申请日: 2006-06-13
公开(公告)号: CN101366101A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 埃里克·赫德森;阿列克谢·马拉赫塔诺夫 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;尚志峰
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了一种用于在等离子体处理系统中引燃等离子体的方法,该系统具有等离子体处理室、至少一个通电的电极和引燃电极。该方法包括将基片引入该等离子体处理室。该方法还包括将气体混合物流入该等离子体处理室;在激发频率激励该引燃电极;并且使用该引燃电极从该气体混合物激发等离子体。该方法进一步包括使用目标频率激励该至少一个通电电极,其中该激发频率高于该目标频率;并且当在该等离子体处理室中处理该基片时去激励该引燃电极。
搜索关键词: 用于 引燃 低压 等离子体 方法 装置
【主权项】:
1.一种用于在等离子体处理系统中引燃等离子体的方法,所述等离子体处理系统具有等离子体处理室、至少一个通电的电极和引燃电极,所述方法包括:将基片引入所述等离子体处理室中;以一定压力将气体混合物流入所述等离子体处理室;以激发频率激励所述引燃电极;使用所述引燃电极,从所述气体混合物激发等离子体;利用目标频率激励所述至少一个通电电极,其中,所述激发频率大于所述目标频率;以及当在所述等离子体处理室中处理所述基片时,去激励所述引燃电极。
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