[发明专利]用于引燃低压等离子体的方法和装置有效
申请号: | 200680023828.2 | 申请日: | 2006-06-13 |
公开(公告)号: | CN101366101A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 埃里克·赫德森;阿列克谢·马拉赫塔诺夫 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;尚志峰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种用于在等离子体处理系统中引燃等离子体的方法,该系统具有等离子体处理室、至少一个通电的电极和引燃电极。该方法包括将基片引入该等离子体处理室。该方法还包括将气体混合物流入该等离子体处理室;在激发频率激励该引燃电极;并且使用该引燃电极从该气体混合物激发等离子体。该方法进一步包括使用目标频率激励该至少一个通电电极,其中该激发频率高于该目标频率;并且当在该等离子体处理室中处理该基片时去激励该引燃电极。 | ||
搜索关键词: | 用于 引燃 低压 等离子体 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于在等离子体处理系统中引燃等离子体的方法,所述等离子体处理系统具有等离子体处理室、至少一个通电的电极和引燃电极,所述方法包括:将基片引入所述等离子体处理室中;以一定压力将气体混合物流入所述等离子体处理室;以激发频率激励所述引燃电极;使用所述引燃电极,从所述气体混合物激发等离子体;利用目标频率激励所述至少一个通电电极,其中,所述激发频率大于所述目标频率;以及当在所述等离子体处理室中处理所述基片时,去激励所述引燃电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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