[发明专利]用于形成屏蔽栅极场效应晶体管的结构和方法有效
| 申请号： | 200680023940.6 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101578689A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·E·格雷布斯;罗德尼·S·里德利;内森·劳伦斯·克拉夫特;加里·M·多尔尼;约瑟夫·A·叶季纳科;克里斯多佛·博古斯洛·科库;阿肖克·B·沙拉 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/338;H01L21/3205;H01L21/8242;H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 场效应晶体管按如下方法形成。在半导体区中形成沟道。形成沿沟道侧壁和底部排列的电介质层。用导电材料填充沟道。使导电材料凹陷进入沟道因而在沟道的底部中形成屏蔽电极。导电材料的凹陷包括导电材料的各向同性蚀刻。在凹陷的屏蔽电极上方形成极间电介质(IED)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 屏蔽 栅极 场效应 晶体管 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成场效应晶体管的方法，包括：在半导体区中形成沟道；形成沿所述沟道侧壁和底部排列的电介质层；用导电材料填充所述沟道；使所述导电材料凹陷到所述沟道中，从而在所述沟道的底部中形成屏蔽电极，所述凹陷包括所述导电材料的各向同性蚀刻；以及在所述凹陷的屏蔽电极上方形成极间电介质(IED)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
