[发明专利]半导体结构及制造半导体结构的方法

摘要

一种半导体结构，它由具有纤锌矿晶体结构的III族金属氮化物组成，并在(0001)定向半导体基片上气相生长。该结构包含底部覆层、顶部覆层、及位于覆层间的扩散区，以扩散在半导体结构内传播的光。为了在扩散区和覆层之间提供光扩散分界面，扩散区具有不同于那些覆层的折射率和不平坦表面。根据本发明，扩散区包括多个扩散层，所述的扩散层的成分和厚度已被选定，以避免在扩散区形成应变诱导位错。相邻扩散层具有不同的折射率，以进一步提高扩散效率。

主权项

1.一种半导体结构(1)，其由具有纤锌矿晶体结构的III族金属氮化物形成，并在(0001)定向半导体基片(2，3)上气相生长，所述结构包括底部覆层(4)；顶部覆层(5)，其具有生长在所述底部覆层之上的平坦的上表面(9)，所述顶部覆层的晶格常数与所述底部覆层的晶格常数相同；以及扩散区(6，7)，其位于所述底部覆层(4)和所述顶部覆层(5)之间，以扩散在所述半导体结构(1)内传播的光，所述扩散区具有与所述覆层不同的折射率及不平坦的表面，以在所述扩散区和所述覆层之间提供光扩散交界面，所述半导体结构特征在于所述扩散区包含多个扩散层(6，7)，所述扩散层的成分及厚度选择成避免在所述扩散区形成应变诱导位错，以及为了进一步提高扩散效率，相邻扩散层(6，7)具有不同的折射率。