[发明专利]用于形成具有不同特性之接触绝缘层及硅化物区域之技术有效

申请号：	200680023957.1	申请日：	2006-05-23
公开（公告）号：	CN101213654A	公开（公告）日：	2008-07-02
发明（设计）人：	M·莱尔;K·弗罗贝格;C·施万	申请（专利权）人：	先进微装置公司
主分类号：	H01L21/8238	分类号：	H01L21/8238
代理公司：	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人：	戈泊
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：	本发明提供一种可个别为N沟道晶管体及P沟道晶管体形成金属硅化物的技术，而同时亦为各种晶体管类型个别提供应变引发机构(strain－inducing mechanism)。以此方式，系可在P沟道晶体管(140，240)可容纳高导电性的硅化镍(150，250)时，可设置距离NMOS晶体管(120，220)之沟道区域具有缩减距离的硅化钴(130，230)，而不会影响或损害N沟道晶体管(120，220)的特性。
搜索关键词：	用于形成具有不同特性接触绝缘硅化物区域技术
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【主权项】：

1.一种方法，包括：形成包含第一栅极结构(121、221)的第一晶体管元件(120、220)，该第一栅极结构包括具有第一宽度(122A、222A)的第一侧壁间隔件结构(122、260)；形成包含第二栅极结构(141、241)的第二晶体管元件(140、240)，该第二栅极结构包括具有不同于所述第一宽度(122A、222A)的第二宽度(142A、242A)的第二侧壁间隔件结构(142、270)；在所述第一晶体管元件(120、220)中形成第一金属硅化物(130、230)；在所述第二晶体管元件(140、240)中形成第二金属硅化物(150、250)，所述第一金属硅化物(130、230)和所述第二金属硅化物(150、250)在材料组成、厚度及形成过程中所使用的工艺条件的至少其中一个方面不同；在所述第一晶体管元件(120、220)上形成第一接触衬层(131、231)；以及在所述第二晶体管元件(140、240)上形成第二接触衬层(151、251)，所述第一接触衬层(131、231)和所述第二接触衬层(151、251)在材料组成以及内部应力的至少其中一个方面不同。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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