[发明专利]用于从半导体晶片去除材料的方法及装置无效
| 申请号： | 200680024137.4 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101213639A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 米哈伊拉·科罗利克;迈克尔·拉夫金;约翰·德拉里奥斯;弗里茨·C·雷德克;约翰·M·博伊德 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/64;H01L21/70;C03B33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在存在有半导体晶片的体积内保持压力，该压力足以保持非牛顿流体的前体流体为液态。该前体流体设置为临近将要从该半导体晶片上去除的材料，同时保持该前体流体为液态。降低存在有半导体晶片的该体积中的压力，从而使设置在该体积内晶片上的该前体流体转变为非牛顿流体。在转变为非牛顿流体过程中，前体流体的膨胀和该前体流体相对于该晶片的运动使产生的非牛顿流体从该半导体晶片上去除材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶片 去除 材料 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于从半导体晶片去除材料的方法，包括：在存在有半导体晶片的体积内保持足够的压力，以保持非牛顿流体的前体流体为液态；在所述半导体晶片上设置所述前体流体，同时保持所述前体流体为液态，其中，所述前体流体被设置为临近将要从所述半导体晶片去除的材料；以及降低所述体积中的压力，以使所述前体流体转变为所述非牛顿流体，由此，在转变过程中所述前体流体的膨胀使所述非牛顿流体从所述半导体晶片去除所述材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680024137.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有由钼合金构成的近光束遮蔽件的卤素白炽灯
- 下一篇：多选择遮光系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
