[发明专利]电极结构，半导体器件，及其制造方法

摘要

包含Ti作为组成元素的第一层，包含Nb作为组成元素的第二层和包含Au作为组成元素的第三层被形成在GaN衬底11上。此后，GaN衬底11和所述第一至第三层被保持在700℃或更高以及1300℃或更低处。这允许Ti的金属氧化物从GaN衬底11和电极14之间的分界面延伸到整个电极14的内部。进一步，在GaN衬底11的内部中形成Nb的金属氮化物。Nb的金属氮化物将被分布为从电极14的内部延伸到整个GaN衬底11的内部。

主权项

1.一种电极结构，包括：氮化物半导体层；以及配置在所述氮化物半导体层上的电极，其中所述氮化物半导体层包含金属氮化物，所述金属氮化物包含Nb，Hf或者Zr作为组成元素，包含Ti或V作为组成元素的金属氧化物被分布为从所述氮化物半导体层和所述电极之间的分界面延伸到整个所述电极的内部，以及所述金属氧化物的浓度分布的最大浓度位置处的金属氧化物的含量为30％或更小，以及与所述电极的所述氮化物半导体层的分界面附近相比，所述最大浓度位置位于所述电极的内侧。