[发明专利]用于二氧化硅层和下部硅层的蚀刻和掺杂组合介质无效
| 申请号： | 200680024998.2 | 申请日： | 2006-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101218184A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | A·库贝尔贝克;W·斯托库姆 | 申请（专利权）人： | 默克专利有限公司 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明首先涉及无HF/氟化物的蚀刻和掺杂介质，其既适合蚀刻二氧化硅层又适合将下部硅层掺杂。其次，本发明涉及利用这些介质的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 二氧化硅 下部 蚀刻 掺杂 组合 介质 | ||
【主权项】：
1.太阳能电池上的二氧化硅钝化和抗反射层的蚀刻方法，其特征在于将含有磷酸或其盐的蚀刻介质在单个工艺步骤中施用在整个表面上或选择性地施用到要蚀刻的表面区域上。
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