[发明专利]减少铸模溢料和辅助热嵌条组装的磁助加工无效
| 申请号： | 200680025125.3 | 申请日： | 2006-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101553901A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | S·A·库梅尔;B·P·兰格 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于加工半导体封装件的方法(300)和装置(200)，其中热扩散器(118)被安置在铸模(202)的模腔(204)，而引线框架(108)被安置在所述热扩散器(118)之上。向所述模腔(204)施加磁场(218)，其中一个或更多个所述热扩散器(118)和引线框架(108)大体被吸引到所述模腔(204)的表面(212)，因此大体确定所述热扩散器(118)在所述模腔(204)中的位置(214)，并定义出所述热扩散器(118)和所述铸模(202)之间的接触区(120)。进一步向所述模腔(204)中注入封装材料(114)，其中至少部分地，由于所述施加的磁场(218)，所述封装材料(114)一般被阻挡进入所述接触区(120)。然后凝固所述封装材料(114)，并将所述半导体封装(100)从所述模腔(204)中取出。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 铸模 辅助 热嵌条 组装 加工 | ||
【主权项】：
1.一种加工半导体封装件的方法，该方法包括：在模腔中安置热扩散器；在所述热扩散器之上安置引线框架；向所述模腔施加磁场，其中一个或更多个所述热扩散器和引线框架大体被所述磁场吸引到所述模腔的内表面，因此大体迫使所述热扩散器在其接触区紧贴所述模腔的所述内表面；向所述模腔中注入封装化合物，其中至少部分地由于所施加的磁场，所述封装化合物大体被阻挡进入所述接触区；以及凝固所述封装化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
