[发明专利]转换设备、放射检测设备和放射检测系统有效
申请号: | 200680025227.5 | 申请日: | 2006-07-10 |
公开(公告)号: | CN101218680A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 望月千织;渡边实;石井孝昌;德本昌义 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/14;H01L31/09;G01T1/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杜娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的转换设备包括其中布置有多个像素的像素区域。所述像素包括开关元件和转换元件。所述像素区域包括:开关元件区域,其中在行和列的方向上布置有多个开关元件;和转换元件区域,其中在行和列的方向上布置有多个转换元件。多个信号配线包括第二金属层,并且连接到列方向上的多个开关元件。偏压配线包括第四金属层,并且连接到多个转换元件。外部信号配线包括在像素区域外部的第一金属层,并连接到信号配线。外部信号配线和偏压配线相互交叉。 | ||
搜索关键词: | 转换 设备 放射 检测 系统 | ||
【主权项】:
1.一种转换设备,包括:绝缘衬底;像素区域,所述像素区域包括:开关元件区域,其中在行和列的方向上布置有多个开关元件,每个开关元件包括设置在所述绝缘衬底上的第一金属层、设置在所述金属层上的绝缘层、第一半导体层和第二金属层,转换元件区域,其中在行和列的方向上布置有多个转换元件,每个转换元件包括由设置在所述开关元件区域上的第三金属层制成的下电极、设置在所述下电极上的第二半导体层、和由设置在所述第二半导体层上的第四金属层制成的上电极,以及每个像素包括所述开关元件和所述转换元件;多个信号配线,包括所述第二金属层,并且连接到列方向上的所述多个开关元件;多个偏压配线,包括所述第四金属层,并且连接到所述多个转换元件;和在所述像素区域外部的包括所述第一金属层的外部信号配线部分,所述外部信号配线部分连接到所述信号配线,其中所述外部信号配线部分和所述偏压配线相互交叉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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