[发明专利]具有抑制的少数载流子注入的碳化硅结势垒肖特基二极管有效
| 申请号： | 200680025439.3 | 申请日： | 2006-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101223647A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 柳世衡;A·K·阿加瓦尔 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了阻挡结势垒肖特基(JBS)结构中内建PiN二极管的电流传导的整合结构。肖特基二极管可以与该PiN二极管串联结合，其中肖特基二极管与PiN二极管反向相反。串联电阻和绝缘层可设于PiN二极管和肖特基接触之间。本发明还提供了碳化硅肖特基二极管和碳化硅肖特基二极管的制作方法，该碳化硅肖特基二极管包括设置于该二极管的漂移区内的碳化硅结势垒区域。该结势垒区域包括位于该二极管的漂移区内并具有第一掺杂浓度的第一碳化硅区域，以及位于该漂移区内并设置于该第一碳化硅区域和该肖特基二极管的肖特基接触之间的第二碳化硅区域。该第二碳化硅区域电学接触该第一碳化硅区域和该肖特基接触。该第二碳化硅区域具有低于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 抑制 少数 载流子 注入 碳化硅 结势垒肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅肖特基二极管，包括：碳化硅漂移区；所述碳化硅漂移区上的肖特基接触；以及设置于所述二极管的碳化硅漂移区内的碳化硅结势垒区域，所述结势垒区域包括：第一碳化硅区域，位于所述二极管的漂移区内并具有第一掺杂浓度；以及位于所述漂移区内的第二碳化硅区域，其设置于所述第一碳化硅区域和所述肖特基二极管的肖特基接触之间并电接触所述第一碳化硅区域和所述肖特基接触，所述第二碳化硅区域具有低于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度并与所述肖特基接触形成肖特基整流结。
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