[发明专利]碳基场发射阴极及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200680025683.X 申请日: 2006-07-06
公开(公告)号: CN101223622A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 胡秋红 申请(专利权)人: 光实验室瑞典股份公司
主分类号: H01J9/02 分类号: H01J9/02;H01J1/304
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 蔡胜有;刘继富
地址: 瑞典萨尔*** 国省代码: 瑞典;SE
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摘要: 一种制造场发射阴极的方法,该方法包括如下步骤:提供包含金属盐与金属氧化物中至少一种和液体酚醛树脂的液体化合物;配置导电阴极支撑体(2)以使所述导电阴极支撑体接近所述液体化合物(2);和加热所述液体化合物(2)。通过实施上述步骤,形成由所述液体化合物转化而来的固体化合物泡沫。所述固体化合物泡沫至少部分覆盖所述导电阴极支撑体。该新化合物的优点包括其降低的功函数和最小的或不存在的训练期。因此,该新方法可提供以与现有技术使用的方法和材料相关的成本的一部分来制造场发射阴极的可能性。
搜索关键词: 碳基场 发射 阴极 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种用于制造场发射阴极的方法,包括如下步骤:-提供(S1)包含金属盐与金属氧化物中的至少一种和液体酚醛树脂的液体化合物(1);-配置(S2)导电阴极支撑体(2),以使所述导电阴极支撑体(2)接近所述液体化合物(1);和-加热(S3)所述液体化合物(1),由此形成由所述液体化合物(1)转化的固体化合物泡沫,所述固体化合物泡沫至少部分覆盖所述导电阴极支撑体(2)。
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