[发明专利]包括具有非半导体单层的沟道的半导体器件及其相关方法无效
| 申请号： | 200680025735.3 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101273460A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J.·梅尔斯;迈尔柯·伊萨;斯科特·A.·柯瑞普斯 | 申请（专利权）人： | 梅尔斯科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体器件，可以包括半导体基片和其上的至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。MOSFET可以包括被分隔开来的源和漏区、位于源和漏区之间的沟道以及位于沟道之上用于与其一起限定界面的栅极。栅极可以包括位于沟道之上的栅极电介质和位于栅极电介质之上的栅极电极。沟道可以包括多个叠加的基础半导体单层和限制于相邻基础半导体单层的晶格内的至少一个非半导体单层。可以将至少一个非半导体单层定位于相对沟道和栅极电介质之间的界面大约4－100个单层的深度处。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 半导体 单层 沟道 半导体器件 及其 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体基片；以及其上的至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，该至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管包括被分隔开来的源和漏区，位于源和漏区之间的沟道，所述沟道包括多个叠加的基础半导体单层和限制于相邻基础半导体单层的晶格内的至少一个非半导体单层，以及栅极，位于所述沟道之上并与其限定界面，所述栅极包括位于所述沟道之上的栅极电介质和位于所述栅极电介质上的栅极电极；所述至少一个非半导体单层被定位于相对于所述沟道和所述栅极电介质之间的界面大约4-100个单层的深度处。
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