[发明专利]电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200680025895.8 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101223614A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 国松宏;大薮吉致;南川忠洋;前田昌祯 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种电容器，其中，具有：电介质层；第1电容电极，其形成于所述电介质层的第1主面上；第2电容电极，其形成于所述电介质层的第2主面上；引出电极，其形成于所述电介质层的第1主面上，并与所述第2电容电极电连接，所述电介质层的厚度是5μm以下，所述第1电容电极和所述第2电容电极的厚度之和是5μm以上，且是所述电介质层的厚度的2倍以上，所述第1电容电极和所述第2电容电极以及所述引出电极，由具有延展性的金属构成，通过将所述电介质层与所述第1电容电极和所述第2电容电极同时进行烧制而形成。从而能够实现低高度化且可弯曲化，并能够实现层间结合强度优良。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，其特征在于，具有：电介质层；第1电容电极，其形成于所述电介质层的第1主面上；第2电容电极，其形成于所述电介质层的第2主面上；引出电极，其形成于所述电介质层的第1主面上，并与所述第2电容电极电连接，所述电介质层的厚度是5μm以下，所述第1电容电极和所述第2电容电极的厚度之和是5μm以上，且是所述电介质层的厚度的2倍以上，所述第1电容电极和所述第2电容电极以及所述引出电极，由具有延展性的金属构成，通过将所述电介质层与所述第1电容电极和所述第2电容电极同时进行烧制而形成。
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