[发明专利]高电阻率硅结构和用于制备该结构的方法无效
| 申请号： | 200680026397.5 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101228301A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | R·J·法尔斯特;V·V·沃龙科夫;G·I·沃龙科娃;A·V·巴图尼纳 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B33/02;C30B29/06;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 马江立;秘凤华 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明总体上涉及高电阻率CZ硅晶片或者从该晶片得到的高电阻率硅结构及其制备方法。具体地，该高电阻率硅结构包括作为衬底的大直径CZ硅晶片，其中该衬底晶片的电阻率与其中的受主原子(例如，硼)的浓度脱离联系，该衬底的电阻率远大于基于其中的所述受主原子的浓度计算出的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 结构 用于 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备高电阻率硅结构的方法，该方法包括：对包含初始电阻率为至少大约50ohm-cm的CZ单晶硅衬底的硅结构在一段时间内和一定温度下进行热处理，从而所得到的经过热处理的结构的衬底具有热施主浓度[TD]和受主浓度[A]，其中比率[TD]∶[A]在大约0.8∶1和大约1.2∶1之间。
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