[发明专利]采用分布式低电压钳位器件的通路共用的高电压ESD保护有效
申请号: | 200680026562.7 | 申请日: | 2006-07-17 |
公开(公告)号: | CN101228629A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 泽利科·姆尔查利察;法布里斯·勃朗 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 公开了一种集成电路(20),包括几个不同电压轨(V5到V1)和片上ESD保护电路。ESD保护电路至少包括一组(21,22,23)ESD钳位器件(C1-C4)。ESD钳位器件(C1-C4)以梯状结构布置。这种梯状结构的特征在于ESD钳位器件中的一个被插入每个电源轨(V5到V1)和具有其次较低电压的各个电源轨之间。由于这种布置,ESD电流通路被定义在每一个电源轨和具有其次较低电压的电源轨之间。在集成电路(20)正常电源操作的情况下,ESD钳位器件(C1-C4)是截止的。 | ||
搜索关键词: | 采用 分布式 电压 器件 通路 共用 esd 保护 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路(10;20;30),包括n个不同的电压轨(Vn 到V1),其中n是大于2的整数,从而定义了n个不同的电源域,还包括片上ESD保护电路,其中:所述ESD保护电路至少包括一组(21,22,23)ESD钳位器件(C1-C4),每个这种组(21,22,23)包括n-1个ESD钳位器件(C1-C4),所述n-1个ESD钳位器件(C1-C4)以梯状结构布置,所述梯状结构的特征在于所述n-1个ESD钳位器件中的一个被插入所述n个电源轨(V5到V1)中的每一个和具有其次较低电压的各个电源轨之间,从而定义了所述n个电源轨中的每一个和具有其次较低电压的电源轨之间的ESD电流通路,并且其中在所述集成电路(10;20;30)的正常的电源操作情况下,每个所述的ESD钳位器件(C1-C4)是截止的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的