[发明专利]低电阻氮化钛膜有效
| 申请号： | 200680026567.X | 申请日： | 2006-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101228617A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 布伦达·D·克劳斯;尤金·P·马什 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用原子层沉积(ALD)形成导电性氮化钛层会产生用于多种电子装置中的可靠结构。通过使用例如TDEAT等含有钛的前体化学品，随后使用氨与一氧化碳的混合物或单独使用一氧化碳，借助原子层沉积将氮化钛沉积到衬底表面上，并进行重复以形成连续沉积的TiN结构，而形成所述结构。此TiN层可用作例如铝或铜等另一导体下方的扩散势垒，或用作铝导体上方的电迁移阻止层。ALD沉积的TiN层具有低电阻率、平滑拓扑、高沉积速率和优良的阶梯覆盖以及电气连续性。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 氮化 | ||
【主权项】：
1.一种通过原子层沉积在衬底上形成氮化钛层的方法，其包括：将衬底暴露于含有钛的至少一个前体；以及将所述衬底暴露于含有氮的至少一个反应物和不含氮的至少一个反应物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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